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二次离子质谱(SIMS)检测薄膜的成份等

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    二次离子质谱(SIMS)检测薄膜的成份等

二次离子质谱分析技术(SIMS)是用来检测低浓度掺杂剂和杂质的分析技术。 它可以提供范围在数埃至数十微米内的元素深度分布。SIMS是通过一束初级离子来溅射样品表面。二次离子在溅射过程中形成并被质谱仪提取分析. 这些二次离子的浓度范围可以高达被分析物本体水平或低于ppm痕量级以下。

SIMS可帮助客户解决产品研发、质量控制、 失效分析、故障排除和工艺监测中的问题。

SIMS应用:

 掺杂剂与杂质的深度剖析

薄膜的成份及杂质测定 (金属、电介质、锗化硅 、III-V族、II-V族)

超薄薄膜、浅植入的超高深度辨析率剖析

硅材料整体分析,包含B, C, O,以及N

工艺工具(离子植入)的高精度分析

主要优点:

SIMS应用优点:

 优异的掺杂剂和杂质检测灵敏度。可以检测到ppm或更低的浓度

 深度剖析具有良好的检测限制和深度辨析率

 小面积分析(10 μm 或更大)

 检测包含H在内的元素及同位素

应用局限性:

 破坏性分析

 无化学键联信息

 只能分析元素

 样品必须是固态以及真空兼容

 要分析的元素必需是已知的​

 
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